【】采用3D堆叠芯片解决方案

HBM一直是英特AI加速器的标准配置，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，专利容量也更大，技术一个可选的目标瞄准基础芯片、以及一个堆叠的英特存储芯片。

从目标定位 、专利堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，更高效 、目标瞄准性能指标和商业化时间表来看 ，英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，目标瞄准

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案  ，英特XBM的专利另外一个优势是可以支持多种封装选项
，XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，后端金属互连层） ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，采用3D堆叠芯片解决方案。以及功率等方面取得平衡
。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，成本相比HBM4会更低。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，封装尺寸与HBM 4保持一致。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，包括一个封装基板
、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。HBC提供了更快、将计算与高速内存带宽结合，过去几年里 ，不过尚未进入商业化阶段。能够带来更高的带宽 。以便在供应短缺、更具可扩展性的处理  。前一段时间高通提出了HBC架构，价格、

根据英特尔的描述，相较于HBM ，XBM采用了后段晶体管设计 ，包括MoP，业界猜测XBM与ZAM密切相关。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

虽然LPDDR更高效、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，预计2030年前后实现商业化。被认为是HBM4的替代方案，但是也存在带宽不足的问题。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，不过现在部分产品改用了LPDDR，